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Distribution of voltage fluctuations in a current-biased conductor

机译:电流偏置导体中电压波动的分布

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摘要

We calculate the fluctuating voltage V(t) over a conductor driven out ofequilibrium by a current source. This is the dual of the shot noise problem ofcurrent fluctuations I(t) in a voltage-biased circuit. In the single-channelcase the distribution of the accumulated phase Phi=(e/hbar)\int Vdt is thePascal (or binomial waiting-time) distribution -- distinct from the binomialdistribution of transferred charge Q=\int Idt. The weak-coupling limit of aPoissonian P(Phi) is reached in the limit of a ballistic conductor, while inthe tunneling limit P(Phi) has the chi-square form.
机译:我们计算由电流源驱动而失去平衡的导体上的波动电压V(t)。这是电压偏置电路中电流波动I(t)的散粒噪声问题的对偶。在单通道情况下,累积相位Phi =(e / hbar)\ int Vdt的分布是帕斯卡(或二项式等待时间)分布-与转移电荷Q = \ int Idt的二项式分布不同。 Poissonian P(Phi)的弱耦合极限在弹道导体的极限中达到,而在隧穿极限中,P(Phi)为卡方形式。

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